أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات عن بدء الإنتاج الضخم لأول رقاقات ذاكرة HBM4 في العالم، وهي رقاقات الذاكرة عالية النطاق الترددي من الجيل السادس، في خطوة تمثل عودة قوية للشركة الكورية الجنوبية إلى صدارة سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي عالية الأداء.

ووفقًا لمصادر صناعية نقلتها صحيفة Korea JoongAng Daily، تخطط سامسونج لبدء شحن رقاقات HBM4 في وقت مبكر من الأسبوع المقبل، عقب عطلة رأس السنة القمرية، على أن تُستخدم هذه الرقاقات في وحدات معالجة الرسوميات التي تطورها شركة إنفيديا.

دعم منصة الذكاء الاصطناعي القادمة من إنفيديا

ستُشغّل رقاقات HBM4 الجديدة منصة Vera Rubin المسرّعة للذكاء الاصطناعي من إنفيديا، والمقرر إطلاقها خلال النصف الثاني من عام 2026، ما يجعل سامسونج في موقع استراتيجي متقدم ضمن سلاسل توريد تقنيات الذكاء الاصطناعي المتقدمة.

قفزة كبيرة في الأداء والسرعة

توفر ذاكرة HBM4 من سامسونج سرعات معالجة بيانات تصل إلى 11.7 غيغابت في الثانية، متجاوزة معيار الصناعة المعتمد من منظمة JEDEC والبالغ 8 غيغابت في الثانية بنسبة 37%، كما تمثل تحسنًا بنسبة 22% مقارنة بجيل HBM3E السابق.

أما النطاق الترددي للذاكرة، فيبلغ ما يصل إلى 3 تيرابايت في الثانية لكل حزمة، أي ما يقارب 2.4 ضعف ما كان يقدمه الجيل السابق، وهو ما يعزز قدرتها على التعامل مع الأحمال الهائلة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء.

ميزة التصنيع المتكامل عموديًا

أحد أبرز عناصر القوة في استراتيجية سامسونج هو نموذج التصنيع المتكامل عموديًا. ففي حين تعتمد شركات منافسة على مصانع خارجية مثل TSMC لإنتاج شريحة المنطق الأساسية، قامت سامسونج بتصنيع هذا المكوّن داخليًا باستخدام تقنية التصنيع بدقة 4 نانومتر التابعة لها.

كما دمجت الشركة هذه الشريحة مع أحدث تقنياتها في الذاكرة، وهي DRAM من فئة 1c، والتي تنتمي إلى الجيل السادس من تقنيات الذاكرة بدقة 10 نانومتر.

استعادة التنافسية في سوق الذاكرة

ونقل التقرير عن أحد مصادر القطاع قوله إن سامسونج، التي تمتلك أكبر طاقة إنتاجية وأوسع مجموعة منتجات في مجال الذاكرة، أثبتت استعادتها لتنافسيتها التقنية من خلال كونها أول شركة تبدأ الإنتاج الضخم لأعلى رقاقات HBM4 أداءً في السوق.